日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設(shè)備潔凈室裝置 BEM-310 特點介紹

該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。

氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。

蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。

這是在潔凈室中使用的獨立式設(shè)備。

使用單張片材對整個表面進行蝕刻，但也可以通過映射恢復(fù)進行部分評估。

晶圓搬運由人工完成，但設(shè)備由計算機控制，操作方便。

日本nasgiken硅晶片氣體蝕刻設(shè)備潔凈室裝置 BEM-310 規(guī)格參數(shù)

設(shè)備名稱 BEM-310 

兼容晶圓尺寸 200毫米、300毫米 

手術(shù) 內(nèi)置電腦 

批量蝕刻功能 ○ 

恢復(fù)率能力 ±10%以內(nèi) 

蝕刻后平整度 ±10%以內(nèi) 

外形尺寸（寬×深×高）（毫米）（*1） 1000×1300×2000 

重量 約150公斤 

使用設(shè)備 酸排放、一般廢氣、酸廢氣 

所需的公用設(shè)施 電源（AC100V、200V）、純水、O2、N2、HF 

該設(shè)備使用臭氧和HF對硅晶片的整個表面進行體蝕刻。

氣體蝕刻不會在晶圓表面產(chǎn)生水滴。

蝕刻期間晶圓中的污染物不會轉(zhuǎn)移到其他位置。

這是在潔凈室中使用的獨立式設(shè)備。

使用單張片材對整個表面進行蝕刻，但也可以通過映射恢復(fù)進行部分評估。

晶圓搬運由人工完成，但設(shè)備由計算機控制，操作方便。